[電子回路用語集]

英数字

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2電源動作	増幅器に(＋)電源と(－)電源を用意し、その中間点をグランド(GND)とし、信号の入力と出力の基準点とする。2電源動作にすることで、交流増幅や極性を持った信号の演算が可能となり、また電源変動に影響されにくく、コンプリメンタリアンプが構成できるなど、いろいろなメリットがある。
40XXXシリーズ	スタンダードCMOS。電源範囲が5V～15V使用可能。動作速度が遅く、現在生産メーカーが少ない。
74HCシリーズ	4000/5000シリーズに替わる高速CMOSとして開発されたシリーズ。動作速度は15ns程度で、電源は5V系が中心。
74LSXXシリーズ	74HCと同等速度だが、消費電力が多い素子。
A級増幅	バイアス位置を負荷線の中心へ置き、そこを振り分けに飽和しない範囲で増幅する。入力信号の全周期をカバーするので、いつもバイアス電流が流れ電力効率が良くないが、波形ひずみの少ない増幅。
AB級増幅	AB級増幅ではバイアス位置をカットオフより少し上に置き、バイアス電流を少しだけ流す。これにより上半分と下半分をつなぐ「のりしろ」ができた形となり、クロスオーバ歪みはなくなる。
ALU	Arithmetic Logic Unitの略で、計算するところのこと。8ビットCPUであれば8ビット幅、16ビットCPUであれば16ビット幅というように、CPUのビット幅と同じサイズの計算を行う。
A/D変換(ADC)	電圧や電流などのアナログ信号をコンピュータ処理が可能なデジタル信号に変換する。直接変換方式や逐次比較方式などの直接電圧を比較する方式と、積分方式やΣ－Δ方式なと゜の電圧を時間に置き換える方式がある。
ANDロジック	すべてのロジック入力が、デジタルHレベルのときにHレベルを出力し、それ以外の場合にはLレベルを出力するゲート回路。
ASIC	大容量ゲートアレーで、カスタムICを作る。エイシックと読む。
B級増幅	バイアスをカットオフ位置に置き、信号の半サイクル分だけ増幅する。残りの半サイクルは同じような増幅器をもう1組用意し、半分ずつ分担して増幅後つなぎ合わせる。しかしバイアスカットオフぎりぎりで使うため、上半分と下半分をつなぐところで少しクロスオーバ歪みが発生する。
BTL接続	プッシュプル増幅アンプまたはパワーOPアンプを2組使い、片側を逆相駆動することでBTL接続となり、負荷電圧が見かけ上2倍にパワーアップする。
C級増幅	スイッチングに近い増幅だが、高周波増幅に使うと出力タンク回路の共振とミラー効果で立派に電波になって飛んでいく。
CAN型	トランジスタやOPアンプのパッケージ型式分類の一種。円柱形の金属ケース。
CCDイメージセンサ	光/電気変換を行う半導体であるCCD(Charge Coupld Device)を線または面のアレー状に配置して、画像を取り込むLSI。光/電気変換素子と電気信号を処理する素子が合体したハイテクセンサ。
CCW	可変抵抗器などの回転方向を表す。Counter Clock Wise(反時計回転)。反意→CW。
CdS	CdS(Cadmium Sulfide)は光量によって抵抗値が変化する光センサ。明るいと抵抗値が少なくなり、暗いと抵抗値が大きくなる。
CMOS	FETで構成されたロジック。
CMRR	同相信号除去比(Common Mode Regection Ratio)。作動増幅回路の性能を表すパラメータの一つ。
CPLD	Complex Programmable Logic Device。PAL,GALの大型化したもの。
CPU	中央演算処理装置(Central Processing Unit)。データの処理、制御、判断などをつかさどるコンピュータの中心部分。
CRスナバ	コンデンサと抵抗を使ったサージ吸収回路。
CS	チップセレクト。ICチップを選択する信号またはピンの名称。
CW	可変抵抗器などの回転方向を表す。Clock Wise(時計回転)。反意→CCW。
dB	相対数値を比較する常用対数スケールです。(デシベルを参照)
dB/dec	フィルタの周波数特性を表す。周波数が10倍または1/10に変化するに伴い、mn〔dB〕減衰する。
dB/oct	フィルタの周波数特性を表す。周波数が1オクターブ(2倍または1/2)変化するに伴い、mn〔dB〕減衰する。
Dフリップフロップ	クロック入力の立ち上がりに同期して信号を伝達するフリップフロップ。
E^２PROM	電気書き込み、電気消去ができるROM。アクセス度が遅く小容量のものしかないので、プログラム用には使用できない。
ECL	高速ロジックデバイス。ベース領域のキャリア蓄積がないので2nsと高速で動作する。ノイズマージンが少ない、消費電流が多いなどの欠点がある。
EMC	Electro Magnetic Compatibility。ノイズを受けない、出さない対策のこと。
EMI	Electro Magnetic Interference。直訳すると電磁的妨害＝ノイズのこと。
EPROM	紫外線照射用の窓の付いた電気書き込み、紫外線消去型のROM。小規模ロットの組み込み機器のプログラム格納用によく使われる。
FET	電界効果トランジスタをField Effect Transistorと言う。プロセスの違いにより、接合型とMOS型がある。
FPGA	(Field Programmabl Gate Array)プログラマブルなゲートアレー。
GAL	(Generic Array Logic)アメリカLattice社の商品名。PALと互換性があり、電気的書き込み、消去が可能なPLD(Programmable Logic Device)。
hパラメータ	四端子回路網の発想でトランジスタ回路を解析する手法。hパラメータのhはハイブリッド(hybrid)。
JFET	接合型FETのこと。
J･Kフリップフロップ	クロックの立ち下がりに同期して信号を伝達するフリップフロップ。
LED	Light Emitting Diode(発光ダイオード)。電流を流すことで光を発するダイオード。
MPU	Micro Processing Unit。CPUを含め周辺LSIなど全てをチップ内に組み込んだLSI。
NANDロジック	すべての入力がデジタルHレベルのときにLレベルを出力し、それ以外の場合にはHレベルを出力するゲート回路。ANDゲートの出力にインバータを接続した回路。
NORロジック	いずれか一つの入力がデジタルHレベルのときにLレベルを出力し、それ以外の場合にはHレベルを出力するゲート回路。ORゲートの出力にインバータを接続した回路。
NOTロジック	デジタルHレベルを入力するとデジタルLレベルを出力し、デジタルLレベルを入力するとデジタルHレベルを出力するゲート回路。
OE	アウトプットイネーブル。出力を可能にする信号またはピンの名称。
OPアンプ	演算増幅器(Operational Amplifier)。(＋)と(－)の入力端子に入力される信号の差を増幅する差動増幅器。
ORロジック	いずれか一つの入力がデジタルHレベルのときにHレベルを出力し、それ以外の場合はLレベルを出力するゲート回路。
PAL	アメリカのAMD社の商品名。ANDゲート、ORゲートが数百個内蔵されているPLD(Programmable Logic Device)。
PP値	(peak to peak value)波形の上のピークから下のピークまでの値。
PSRR	OPアンプの電源電圧が変化することによって、入力バイアス電流の差が増減する割合を表す値。
PWM制御	スイッチングによる電力制御方法の一つ。スイッチングするパルス幅を変更する。
Q	コイル L、コンデンサ C、抵抗 Rから構成される共振回路に於いて、共振時のR対ωLの比率をQ(電圧拡大率)という。
rail to rail	アンプの供給電源の端から端まで(これがrail to railの意)を動作領域として使える。低電圧動作のrail to rail OPアンプがモバイル機器向けに多くなった。
RAM	(Random Access Memory)書き込みと読み出しが可能なメモリIC。
rms	実効値を表す。実効値は交流電圧または交流電流の瞬時値の2乗の1サイクル間の平均の平方根(root mean square value)。
ROM	(Read Only Memory)読み出し専用メモリIC。
SSR	(Solid State Relay)主に交流負荷をON-OFFする無接点リレー。
tanδ	誘導正接(tanδ)はコンデンサの性能を表す値の一つ。理想コンデンサであれば、電圧位相に対して電流位相が90゜進むが、実際は90゜－δとなる。。
TTL	バイポーラトランジスタだけで構成したロジックIC。74LSシリーズなど。
V_CE(sat)	スイッチングで使用するトランジスタが完全にON状態のときのコレクタ･エミッタ間の電圧降下。(sat)はsaturation(飽和)。
Working Volt	定格電圧(Working Volt)はWVまたはVで表す。

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